Условия конкурса САМЫЙ АКТИВНЫЙ. Интернет-справочник основных параметров транзисторов

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Условия конкурса «Самый активный»

Добавь на сайт через страницу добавления нового транзистора, информацию о параметрах биполярного транзистора, характеристики которого еще отсутствуют на ПАРАТРАНе. Проверить отсутствие маркировки можно с помощью формы поиска. Качество вводимой информации проверяется и учитывается при подведении итогов.
Победит тот, кто к дате окончания конкурса пришлет большее количество описаний параметров транзисторов, но не менее 10.


Период проведения конкурса:

с 15 августа 2010 года по 15 декабря 2010 года.


Подведение итогов конкурса:

предварительное – еженедельно, окончательное - 20 декабря 2010 года.
Страница итогов.


Вознаграждение:

1-е место 500 WMR
2-е место 300 WMR
3-е место 100 WMR

Порядок выплаты:

После подведения итогов, на адрес электронной почты победителей (вводимый при добавлении нового транзистора), придет письмо с поздравлениями и просьбой отправить на электронный адрес администрации сайта реквизиты WMR кошелька. Вознаграждение будет выплачено до 31 декабря 2010 года.

Вопросы, предложения и замечания отправляйте через форму обратной связи.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru