Итоги конкурса САМЫЙ АКТИВНЫЙ. Интернет-справочник основных параметров транзисторов

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Итоги конкурса «Самый активный»

21.12.2010 Подведены итоги конкурса. Самым активным стал пользователь Михай, приславший 11 описаний новых транзисторов. Приз отправлен. Поздравляем!
12.12.2010 Михай: 10+1=11!:-)
05.12.2010 Изменений нет.
28.11.2010 Михай: 2+8=10!:-)
21.11.2010 Михай: 0+2=2.
14.11.2010 Изменений нет.
07.11.2010 Изменений нет.
31.10.2010 Изменений нет.
24.10.2010 Изменений нет.
17.10.2010 Изменений нет.
10.10.2010 Изменений нет.
03.10.2010 Изменений нет.
26.09.2010 Изменений нет.
19.09.2010 Алексей_termit: 0+2=2.
12.09.2010 Участники отсутствуют.
05.09.2010 Участники отсутствуют.
29.08.2010 Участники отсутствуют.
22.08.2010 Участники отсутствуют.



Отсутствие участников конкурса может быть вызвано следующим:

1) Прошло слишком мало времени с начала акции.
2) На сайте УЖЕ имеются все маркировки биполярных транзисторов. Класс!!! :-)
3) Пользователям абсолютно не интересно выиграть и заработать. Тогда ты можешь быть первым!!!
4) Малым призовым фондом акции. Тогда сколько и чего???
5) Еще что-то неизвестное. :-( Отправляй свое предположение.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru