Интернет справочник основных параметров транзисторов. Новости.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

12.1.2017 В 2017 году российские разработчики электронн...

9.5.2016 С Днем Победы!!!...

31.3.2016 Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпу...







Высказывания:
Необходимости концентрированного внимания всегда сопутствует непреодолимое желание отвлечься.





Новости справочника основных параметров транзисторов подробно.

12.1.2017: В 2017 году российские разработчики электронных компонентов планируют получить образцы новых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Технология откроет новые горизонты в развитии мобильной и космической связи, уменьшит размеры различных блоков питания и зарядных устройств.
В 2016 году сообщалось о создании американскими учеными самого маленького в мире транзистора на основе сульфида молибдена.

9.5.2016: С Днем Победы!!!

31.3.2016: Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпустили полностью отечественные силовые IGBT-модули. Основными потребителями модулей на основе БТИЗ и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также компании, эксплуатирующие его. Кроме того, огромное количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ (лифтовое оборудование, системы водо- и теплоснабжения) и энергетике. В настоящее время уже доступна для заказа широкая линейка модулей в диапазоне напряжений от 600 В до 1700 В и максимальным током от 75А до 600А.

17.11.2015: В конце 1997 года президент маленькой американской компьютерной фирмы заявил, что на изобретение транзисторов, американцев вдохновили инопланетные технологии космического корабля, разбившегося в Розуэлле в 1947 году. Положим это так. Можно ли утверждать, что более полувека до этого события, ученые, подключаясь к вселенскому разуму, вызывали гуманоидов на контакт с землянами, но что-то пошло не так?..

17.10.2015: Повальный переход на электротягу стимулирует появление новых транзисторов на основе карбида кремния (SiC, silicon carbide) и нитрида галлия (GaN). Это обещает в будущем уменьшение размеров блоков питания на 80–90%. Лидируют на новом и перспективном рынке силовых транзисторов две компании.

28.9.2015: Резиновый транзистор разработали японские ученые из института AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology). Созданные транзисторы мягки, эластичны и выдерживают сильные механические нагрузки. Они изготовлены из резины, кремнийсодержащего геля и эластичного пластика. Благодаря этому без потери работоспособности могут выдерживать механические нагрузки, могут быть погружены в воду и на них может наступить женщина на высоком каблуке-шпильке. Все это позволит изготавливать на базе эластичных транзисторов датчики, которые будут располагаться на одежде или прямо на полу жилых, офисных и производственных помещений.

9.5.2015: С Днем Победы!!!

25.3.2015: Это нельзя забывать! Это необходимо помнить!
ИТОГИ ВТОРОЙ МИРОВОЙ ВОЙНЫ: МИФЫ И РЕАЛЬНОСТЬ.
Интервью Буша старшего в 1992 году.

26.12.2014: Для удобства работы с ресурсом добавлены новые возможности, исправлены видимые и невидимые ошибки, устранены неточности и учтены пожелания пользователей. Совершенству нет предела и лучшее, конечно, впереди. Желаю в наступающем Новом 2015 году Мира, Здоровья, Любви, Счастья и Благополучия всем Человекам!

28.10.2014: Это нельзя забывать! Это необходимо помнить!
Почему Фадеев пожалел читателей: страшная правда о Молодой Гвардии. 16+

16.7.2014: Для производства транзисторов по 10-ти и 7-ми нанометровой технологии в компании IBM предложили использовать 'лобзик'. В книгу рекордов Гиннеса занесен очередной рекорд миниатюризации.

9.5.2014: С Днем Победы!!!

15.4.2014: Добавлены разделы полевых транзисторов n-канальных и p-канальных.

9.4.2014: Даже имея под рукой Интернет с его великими возможностями, всегда лучше 'в живую' посмотреть на нужную деталь и позадавать вопросы знающим людям. А сколько интересных и нужных вещичек еще можно найти в магазинах электроники!!! Главное знать где он (магазин) находится и хорошо, если не далеко. Именно эта цель преследовалась при внедрении функции ПАРАТРАНа - каталога магазинов электроники - для легкого нахождения магазина радиодеталей в Вашем городе. Добавление магазина происходит через систему Коллективного разума пользователями сайта. Если Вы знаете месторасположение магазина электронных компонентов, то прошу добавить в систему, пригодится всем. Надеюсь обновленная функция будет востребована, ну а старые идеи отправляются в музей.

10.9.2013: Метод получения углеродных транзисторов на основе нитей ДНК разработал Сотрудник Стенфордского университета Анатолий Соколов совместно с коллегами-физиками.
Целью работы ученых было использовать ДНК в качестве направляющей структуры для выращивания тонких (шириной в несколько атомов, до 10 нанометров) графеновых полосок. Как было показано ранее, такие полоски, в отличие от листового графена, являются полупроводниками, поэтому могут быть использованы для создания транзисторов.
Подробности читайте на Ленте.ру.

9.5.2013: С Днем Победы!!!

9.5.2013: Компания IBM нашла способ создать транзисторы, которые могут быть встроены в виртуальную схему, имитирующую работу человеческого мозга. Это может привести к резкому скачку производительности компьютеров.
Новые транзисторы будут производиться из оксидов металлов, они будут куда более мощными и менее энергоемкими. 'Фантастический потенциал развития традиционных транзисторов, которое мы наблюдали в последние 50 лет, практически исчерпан. Нам нужны альтернативные устройства и материалы, которые действуют совершенно иначе', - отметил Стюард Паркин, сотрудник исследовательской группы IBM.
Подробнее расскажут Vesti.ru.

13.3.2013: Физики создали прототип полностью прозрачного и чрезвычайно гибкого транзистора на базе графена и особых 'мятых' пленок из оксида алюминия, способного растягиваться в несколько раз, и опубликовали 'инструкции' по его сборке в статье в журнале Nature Materials.
С момента открытия графена в 2004 году российско-британскими физиками Андреем Геймом и Константином Новоселовым, ученые пытаются приспособить этот материал для создания электроники. Однотипные проблемы — высокие токи утечки, сложности в работе с графеном и проблемы при нанесении подложки-изолятора мешают физикам создать транзисторы, приспособленные для промышленного производства.
Читайте на РИА Новости подробности.

12.12.2012: Транзисторы побили рекорд миниатюрности. Инженеры Массачусетского технологического института создали рекордно миниатюрный МОП-транзистор на основе арсенида галлия-индия, размер которого составил 22 нанометра. Доклад о своей работе ученые представили на конференции в Сан-Франциско, кратко о ней пишет сайт института.
Читайте на Ленте.ру, как удалось установить рекорд миниатюризации.

6.10.2012: Американские и корейские физики создали высокоэффективный транзистор на базе соединения серы и молибдена, способный потеснить кремниевые тонкопленочные транзисторы в производстве жидкокристаллических TFT-дисплеев, говорится в статье, опубликованной в журнале.
Читайте далее на РИА Новости.

26.5.2012: Инженеры скрестили вакуумные лампы с транзисторами. Инженеры создали миниатюрные электронные радиолампы, сочетающие свойства вакуумных ламп и кремниевых транзисторов. Планируется, что они смогут стать основой быстрых и устойчивых к радиации вычислительных устройств. Работа опубликована в журнале Applied Physics Letters, ее краткое содержание приводит ScienceNow. Целью создания миниатюрных ламп является стремление инженеров обойти врожденные недостатки кремниевых транзисторов. Во-первых, они не могут работать на таких высоких частотах, на которых работают лампы. Это связано с тем, что подвижность электронов в кремнии ниже, чем в вакууме. Во-вторых, транзисторы менее устойчивы к радиации и ионизирующему излучению.
Полный вариант статьи Лента.ру.

9.5.2012: С Днем Победы в Великой Отечественной Войне!!!

29.12.2011: Дорогие друзья!
В канун Нового 2012 года примите искренние поздравления и самые добрые пожелания!
Пусть Новый год принесет Вам процветание и удачу в делах, мир и благополучие в Ваш дом!
Пусть в жизни Вас всегда сопровождают только радость, доброта и улыбки ближних и друзей!
С Новым годом поздравляем! Счастья всей душой желаем!
Чтоб прожить Вам этот год без печали и забот.
Чтоб с успехом Вам трудиться, А на праздник веселиться, И удачи Вам в делах и улыбок на устах!


17.1.2011: Поздравляем с наступившим Новым 2011 годом всех пользователей сайта. Удачи, счастья, успехов и процветания, здоровья и материального благополучия желаем Вам!

21.12.2010: Подведены итоги конкурса “Cамый активный”. Смотри здесь.
Поздравляем победителя с заслуженной победой!
Следите за новостями, конкурсы еще будут. Всех пользователей сайта поздравляем с наступающим Новым годом!!!

14.8.2010: Хотите заработать? Акция! Администрация сайта ПАРАТРАН объявляет конкурс “Cамый активный”.

С условиями конкурса можно ознакомиться здесь.
Итоги активности.

21.6.2010: Стали доступны новые маркировки транзисторов. В качестве интересной информации 'Наука и жизнь' №5,2010 сообщает, что инженеры японской фирмы 'Фуджицу' уверяют, что замена в блоке питания ноутбука кремниевых транзисторов транзисторами на нитриде галлия позволит сократить размеры этого блока в 10 раз и уместить его в корпусе ноутбука вместо того, чтобы выполнять блок питания в виде отдельной коробки, как сейчас. Кроме того, уменьшится потребление энергии. Крупный серверный центр, переведенный на подобную схему питания, сможет сэкономить 12% энергии.

22.3.2010: Очередное добавление почти двух тысяч маркировок биполярных транзисторов и их параметров.

16.1.2010: В новом 2010 году база данных транзисторов увеличилась до 21000 маркировок, с чем и поздравляем постоянных и непостоянных пользователей справочника. А еще база аналогов транзисторов насчитывает более 80000 записей.

25.12.2009: С наступающим Новым 2010 годом. На сайте к этому времени появилась возможность записывать адреса магазинов электронных компонентов. Эффективность как всегда будет зависеть от Ваших инициативных действий. Призываю пробовать и оставлять свои критические комментарии. И еще. Количество реально присутствующих параметров транзисторов на сайте гораздо больше, чем есть ссылок на страницах. Пользуйтесь поиском с главной страницы и подбором по параметрам. А сделано это для того, чтобы не захламлять маркировками страницы сайта.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавить описание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавить описание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

(C) 2008-2017 Параметры транзисторов. 7525.