Юмор:
- Смотрите, Ватсон, воруют! Но закон на их стороне...
Новости справочника основных параметров транзисторов подробно.
9.5.2018: С Днем Победы!!!
9.5.2017: С Днем Победы!!!
12.1.2017: В 2017 году российские разработчики электронных компонентов планируют получить образцы новых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Технология откроет новые горизонты в развитии мобильной и космической связи, уменьшит размеры различных блоков питания и зарядных устройств. В 2016 году сообщалось о создании американскими учеными самого маленького в мире транзистора на основе сульфида молибдена.
9.5.2016: С Днем Победы!!!
31.3.2016: Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпустили полностью отечественные силовые IGBT-модули. Основными потребителями модулей на основе БТИЗ и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также компании, эксплуатирующие его. Кроме того, огромное количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ (лифтовое оборудование, системы водо- и теплоснабжения) и энергетике. В настоящее время уже доступна для заказа широкая линейка модулей в диапазоне напряжений от 600 В до 1700 В и максимальным током от 75А до 600А.
17.11.2015: В конце 1997 года президент маленькой американской компьютерной фирмы заявил, что на изобретение транзисторов, американцев вдохновили инопланетные технологии космического корабля, разбившегося в Розуэлле в 1947 году. Положим это так. Можно ли утверждать, что более полувека до этого события, ученые, подключаясь к вселенскому разуму, вызывали гуманоидов на контакт с землянами, но что-то пошло не так?..
17.10.2015: Повальный переход на электротягу стимулирует появление новых транзисторов на основе карбида кремния (SiC, silicon carbide) и нитрида галлия (GaN). Это обещает в будущем уменьшение размеров блоков питания на 80–90%. Лидируют на новом и перспективном рынке силовых транзисторов две компании.
26.12.2014: Для удобства работы с ресурсом добавлены новые возможности, исправлены видимые и невидимые ошибки, устранены неточности и учтены пожелания пользователей. Совершенству нет предела и лучшее, конечно, впереди. Желаю в наступающем Новом 2015 году Мира, Здоровья, Любви, Счастья и Благополучия всем Человекам!
15.4.2014: Добавлены разделы полевых транзисторов n-канальных и p-канальных.
9.4.2014: Даже имея под рукой Интернет с его великими возможностями, всегда лучше 'в живую' посмотреть на нужную деталь и позадавать вопросы знающим людям. А сколько интересных и нужных вещичек еще можно найти в магазинах электроники!!! Главное знать где он (магазин) находится и хорошо, если не далеко. Именно эта цель преследовалась при внедрении функции ПАРАТРАНа - каталога магазинов электроники - для легкого нахождения магазина радиодеталей в Вашем городе. Добавление магазина происходит через систему Коллективного разума пользователями сайта. Если Вы знаете месторасположение магазина электронных компонентов, то прошу добавить в систему, пригодится всем. Надеюсь обновленная функция будет востребована, ну а старые идеи отправляются в музей.
10.9.2013: Метод получения углеродных транзисторов на основе нитей ДНК разработал Сотрудник Стенфордского университета Анатолий Соколов совместно с коллегами-физиками. Целью работы ученых было использовать ДНК в качестве направляющей структуры для выращивания тонких (шириной в несколько атомов, до 10 нанометров) графеновых полосок. Как было показано ранее, такие полоски, в отличие от листового графена, являются полупроводниками, поэтому могут быть использованы для создания транзисторов. Подробности читайте на Ленте.ру.
9.5.2013: С Днем Победы!!!
9.5.2013: Компания IBM нашла способ создать транзисторы, которые могут быть встроены в виртуальную схему, имитирующую работу человеческого мозга. Это может привести к резкому скачку производительности компьютеров. Новые транзисторы будут производиться из оксидов металлов, они будут куда более мощными и менее энергоемкими. 'Фантастический потенциал развития традиционных транзисторов, которое мы наблюдали в последние 50 лет, практически исчерпан. Нам нужны альтернативные устройства и материалы, которые действуют совершенно иначе', - отметил Стюард Паркин, сотрудник исследовательской группы IBM. Подробнее расскажут Vesti.ru.
13.3.2013: Физики создали прототип полностью прозрачного и чрезвычайно гибкого транзистора на базе графена и особых 'мятых' пленок из оксида алюминия, способного растягиваться в несколько раз, и опубликовали 'инструкции' по его сборке в статье в журнале Nature Materials. С момента открытия графена в 2004 году российско-британскими физиками Андреем Геймом и Константином Новоселовым, ученые пытаются приспособить этот материал для создания электроники. Однотипные проблемы — высокие токи утечки, сложности в работе с графеном и проблемы при нанесении подложки-изолятора мешают физикам создать транзисторы, приспособленные для промышленного производства. Читайте на РИА Новости подробности.
12.12.2012: Транзисторы побили рекорд миниатюрности. Инженеры Массачусетского технологического института создали рекордно миниатюрный МОП-транзистор на основе арсенида галлия-индия, размер которого составил 22 нанометра. Доклад о своей работе ученые представили на конференции в Сан-Франциско, кратко о ней пишет сайт института.
Читайте на Ленте.ру, как удалось установить рекорд миниатюризации.
6.10.2012: Американские и корейские физики создали высокоэффективный транзистор на базе соединения серы и молибдена, способный потеснить кремниевые тонкопленочные транзисторы в производстве жидкокристаллических TFT-дисплеев, говорится в статье, опубликованной в журнале.
Читайте далее на РИА Новости.
26.5.2012: Инженеры скрестили вакуумные лампы с транзисторами.
Инженеры создали миниатюрные электронные радиолампы, сочетающие свойства вакуумных ламп и кремниевых транзисторов. Планируется, что они смогут стать основой быстрых и устойчивых к радиации вычислительных устройств. Работа опубликована в журнале Applied Physics Letters, ее краткое содержание приводит ScienceNow.
Целью создания миниатюрных ламп является стремление инженеров обойти врожденные недостатки кремниевых транзисторов. Во-первых, они не могут работать на таких высоких частотах, на которых работают лампы. Это связано с тем, что подвижность электронов в кремнии ниже, чем в вакууме. Во-вторых, транзисторы менее устойчивы к радиации и ионизирующему излучению.
Полный вариант статьи Лента.ру.
9.5.2012: С Днем Победы в Великой Отечественной Войне!!!
29.12.2011: Дорогие друзья!
В канун Нового 2012 года примите искренние поздравления и самые добрые пожелания!
Пусть Новый год принесет Вам процветание и удачу в делах, мир и благополучие в Ваш дом!
Пусть в жизни Вас всегда сопровождают только радость, доброта и улыбки ближних и друзей!
С Новым годом поздравляем! Счастья всей душой желаем!
Чтоб прожить Вам этот год без печали и забот.
Чтоб с успехом Вам трудиться, А на праздник веселиться, И удачи Вам в делах и улыбок на устах!
17.1.2011: Поздравляем с наступившим Новым 2011 годом всех пользователей сайта. Удачи, счастья, успехов и процветания, здоровья и материального благополучия желаем Вам!
21.12.2010: Подведены итоги конкурса “Cамый активный”. Смотри здесь. Поздравляем победителя с заслуженной победой! Следите за новостями, конкурсы еще будут. Всех пользователей сайта поздравляем с наступающим Новым годом!!!
21.6.2010: Стали доступны новые маркировки транзисторов.
В качестве интересной информации 'Наука и жизнь' №5,2010 сообщает, что инженеры японской фирмы 'Фуджицу' уверяют, что замена в блоке питания ноутбука кремниевых транзисторов транзисторами на нитриде галлия позволит сократить размеры этого блока в 10 раз и уместить его в корпусе ноутбука вместо того, чтобы выполнять блок питания в виде отдельной коробки, как сейчас. Кроме того, уменьшится потребление энергии. Крупный серверный центр, переведенный на подобную схему питания, сможет сэкономить 12% энергии.
22.3.2010: Очередное добавление почти двух тысяч маркировок биполярных транзисторов и их параметров.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
