Высказывания: Никогда не делай долгов; лучше терпи нужду; поверь, она не так ужасна, как кажется, и, во всяком случае, она лучше неизбежности вдруг оказаться бесчестным или прослыть таковым. Пушкин Александр Сергеевич
Основные параметры транзистора 92GE77A биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 92GE77A . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
750mW
45V
45V
5V
1A
150°C
50MHz
30
40MIN
Производитель: GEN Сфера применения: Medium Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 92GE77A
Общий вид транзистора 92GE77A.
Цоколевка транзистора 92GE77A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.