Высказывания: Когда несколько командированных берут такси, за всех платит сидящий на первом сиденье.Следствие Дойля: Независимо от числа командированных в такси и от того, кто платил, каждый в своем авансовом отчете полностью укажет расходы на такси. Закон Вивера
Основные параметры транзистора D40C1 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора D40C1 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
625mW
30V
30V
13V
500mA
150°C
40MHz
10
15000T
Производитель: GENERAL SEMI Сфера применения: Darlington, Medium Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора D40C1
Общий вид транзистора D40C1.
Цоколевка транзистора D40C1.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.