Юмор: Ничто не украшает женщину так, как уродство ее подруг.
Основные параметры транзистора KC636 биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора KC636 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
800mW
-
45V
-
1A
150°C
50MHz
-
40MIN
Производитель: TESLA Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора KC636
Общий вид транзистора KC636.
Цоколевка транзистора KC636.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора KC636.
Дополнение: Здравствуте! У вас не правильно обозначены ножки транзистора на корпусе. Средняя ножка база эмиттер справа, коллектор слева, если смотреть на корпус со стороны ножек..
Дата добавления: 2017-12-18 08:25:14; Пользователь: М..
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
