Параметры транзистора PTB20167. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
В три с половиной года я хотел стать кухаркой, заметьте, кухаркой, а не поваром. В семь лет я возжелал стать Наполеоном, и претензии мои с тех пор стали неуклонно возрастать.
Сальвадор Дали



Основные параметры транзистора PTB20167 биполярного сверхвысокочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора PTB20167 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
127W55V30V4V10A150°C850MHz 6020/100

Производитель: ERICSSON
Сфера применения: -
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора PTB20167

Общий вид транзистора PTB20167.Цоколевка транзистора PTB20167.
Общий вид транзистора PTB20167 Цоколевка транзистора PTB20167

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора PTB20167
Где купить транзистор PTB20167?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора PTB20167.

Вы знаете больше о транзисторе PTB20167, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора PTB20167.
Добавить рисунок транзистора PTB20167.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора PTB20167.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru