Высказывания:
2. Добавив 2 недели к положенному по графику сроку на непредвиденные задержки, добавьте еще 2 недели на непредвиденность самих непредвиденных задержек.
Следствия закона прикладной неразберихи
Основные параметры транзистора RCP115A биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора RCP115A . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
6.25W
-
100V
5V
150mA
150°C
40MHz
2.3
50MIN
Производитель: GENERAL SEMI Сфера применения: - Популярность: 641 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RCP115A
Общий вид транзистора RCP115A.
Цоколевка транзистора RCP115A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.