Высказывания:
Как религия, так и наука в конечном результате ищут истину и приходят к исповеданию Бога. Первая представляет Его как основу, вторая - как конец всякого феноменального представления о мире. Макс ПЛАНК (1858 - 1947), физик.
Основные параметры транзистора RS7511 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора RS7511 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
360mW
40V
30V
5V
500mA
150°C
250MHz
8
60/600
Производитель: GEN Сфера применения: Medium Power, General Purpose Популярность: 681 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RS7511
Общий вид транзистора RS7511.
Цоколевка транзистора RS7511.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
