Высказывания: Суверенитет - это очень дорогая вещь, и на сегодняшний день, можно сказать, эксклюзивная в мире. Для России суверенитет - не политическая роскошь, не предмет гордости, а условие выживания в этом мире. Россия - такая страна, которая не может существовать без защиты своего суверенитета. Она будет либо независимой и суверенной, либо, скорее всего, ее вообще не будет. Путин В.В., политический форум 'Валдай', 2007 г.
Основные параметры транзистора 2N1045-1 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2N1045-1 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
20W
100V
60V
20V
3A
100°C
225KHz
200
20/60
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: High Power, High Voltage, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N1045-1
Общий вид транзистора 2N1045-1.
Цоколевка транзистора 2N1045-1.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.