Высказывания:
1. Неточно спланированная программа требует в три раза больше времени, чем предполагалось, тщательно спланированная - только в два раза.
Закон мира ЭВМ по Голубу
Основные параметры транзистора 2N1661 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2N1661 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
85W
100V
80V
-
2A
175°C
25MHz
-
45/135
Производитель: RAYTHEON Сфера применения: High Power, High Voltage, High Frequency Популярность: 1237 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N1661
Общий вид транзистора 2N1661.
Цоколевка транзистора 2N1661.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.