Высказывания: 1. Никогда не рисуйте то, что можно скопировать.
2. Никогда не копируйте то, что можно обвести.
3. Никогда не обводите то, что можно вырезать и наклеить. Правила рисования Вуда
Основные параметры транзистора 2N3130 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N3130 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
150mW
60V
60V
8V
100mA
110°C
60MHz
6
60MIN
Производитель: NWM Сфера применения: Low Power, Low Noise, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N3130
Общий вид транзистора 2N3130.
Цоколевка транзистора 2N3130.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.