Высказывания: Атаки происходят тогда, когда администратор безопасности отсутствует на работе. Следствие - Стоит вам отлучиться на 5 минут, как именно в этот момент ваш босс не сможет закачать себе новую MP3-композицию из-за настроек МСЭ.
Основные параметры транзистора 2N1194 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2N1194 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
40V
25V
25V
200mA
100°C
1.2MHz
40
125MIN
Производитель: ELN Сфера применения: Medium Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N1194
Общий вид транзистора 2N1194.
Цоколевка транзистора 2N1194.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.