Юмор: - Если надо что-то сделать — зовите китайцев. - Если надо сделать что-то невозможное — зовите русских. - Если надо чтобы оно работало - зовите немцев. - А американцев? - А американцев звать не надо - они сами приходят.
Основные параметры транзистора 2N5613 биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5613 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
50W
80V
60V
5V
5A
200°C
70MHz
-
70/200
Производитель: KELTRON Сфера применения: RF, Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N5613
Общий вид транзистора 2N5613.
Цоколевка транзистора 2N5613.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.