Высказывания: Деталь, которую завод забыл поставить, обеспечивает 75% объема поставок. Разобравшись, вы легко обнаружите, что завод не только забыл ее поставить, но 50% времени ее вообще не производил. Закон прикладной неразберихи
Основные параметры транзистора 2SA1405E биполярного сверхвысокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного pnp транзистора 2SA1405E . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
8W
120V
120V
4V
300mA
175°C
500MHz
4.3
100/200
Производитель: SANYO Сфера применения: Power, TV Deflection Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SA1405E
Общий вид транзистора 2SA1405E.
Цоколевка транзистора 2SA1405E.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.