Мысли и афоризмы: Жизнь нашу можно удобно сравнивать со своенравною рекою, на поверхности которой плавает челн, иногда укачиваемый тихоструйною волною, нередко же задержанный в своем течении мелью и разбиваемый о подводный камень. -Нужно ли упоминать, что сей утлый челн на рынке скоропреходящего времени есть не кто иной, как сам человек? Козьма Прутков.
Основные параметры транзистора 2SB436 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SB436 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
120mW
25V
-
6V
120mA
85°C
-
-
30MIN
Производитель: TOSHIBA Сфера применения: Medium Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SB436
Общий вид транзистора 2SB436.
Цоколевка транзистора 2SB436.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.