Высказывания:
Единственное, что мы можем сказать о человеческой природе, это то, что она изменяется. Изменение - это единственное качество, которое можно предсказать. Системы, которые терпят неудачу, это те, что полагаются на неизменность человеческой природы, а не на ее рост и развитие.
Оскар Уайльд
Основные параметры транзистора 2SB633F биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SB633F . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
40W
100V
80V
6V
6A
150°C
8MHz
150
160/320
Производитель: SANYO Сфера применения: High Power, High Voltage, General Purpose Популярность: 580 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SB633F
Общий вид транзистора 2SB633F.
Цоколевка транзистора 2SB633F.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
