Высказывания:
Лицо человека высказывает больше и более интересные вещи, нежели его уста: уста высказывают только мысль человека, лицо - мысль природы.
Основные параметры транзистора 2SC1166 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC1166 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
600mW
70V
50V
5V
200mA
125°C
60MHz
-
40MIN
Производитель: TOSHIBA Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 2210 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC1166
Общий вид транзистора 2SC1166.
Цоколевка транзистора 2SC1166.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.