Высказывания:
Если кажется, что работу сделать легко, это непременно будет трудно. Если на вид она трудна, значит, выполнить ее абсолютно невозможно.
Теорема Стакмайера
Основные параметры транзистора 2SC1293 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC1293 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
25V
25V
3V
50mA
175°C
200MHz
2.6
120MAX
Производитель: SANYO Сфера применения: RF, Medium Power General Purpose Популярность: 923 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC1293
Общий вид транзистора 2SC1293.
Цоколевка транзистора 2SC1293.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.