Высказывания:
Любую бомбу всегда обезвреживают за секунду до взрыва. Следствие Винсент: Не важно, какой провод резать, главное - сделать это вовремя! Поправка сценариста: Второстепенным персонажам это не поможет. Вывод второстепенного персонажа: Поэтому нам лучше стоит создавать ощущение всеобщей паники.
Закон сапера
Основные параметры транзистора 2SC3808 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3808 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
20W
80V
60V
15V
2A
200°C
170MHz
24
800/1200
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: RF, Power Популярность: 971 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC3808
Общий вид транзистора 2SC3808.
Цоколевка транзистора 2SC3808.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
