Высказывания: Свобода человека в современном мире похожа на свободу человека, разгадывающего кроссворд: теоретически, он может вписать любое слово, но на самом деле он должен вписать только одно, чтобы кроссворд решился. Альберт Эйнштейн
Основные параметры транзистора 2SC520A биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC520A . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
50W
100V
80V
5V
7A
150°C
5MHz
250
30MIN
Производитель: TOSHIBA Сфера применения: High Power, High Voltage, High Frequency Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC520A
Общий вид транзистора 2SC520A.
Цоколевка транзистора 2SC520A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.