Высказывания: Чем проще инструкция (например, "Нажмите здесь"), тем труднее найти, где же все-таки нажимать.
Основные параметры транзистора 2SC656 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC656 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
50mW
10V
-
2V
10mA
125°C
275MHz
3
130T
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: VHF, Low Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC656
Общий вид транзистора 2SC656.
Цоколевка транзистора 2SC656.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC656.
Комментарий к рисунку: Нет.
Дата добавления: 2023-02-27 08:37:08; Пользователь: Без имени.
Комментарий к рисунку: 550 MHz.
Дата добавления: 2023-02-27 08:41:50; Пользователь: Без имени.
Комментарий к рисунку: параметры корпуса TO-92 - https://www.paratran.com/2TypeSize.php?pack=171.
Дата добавления: 2023-02-27 08:49:03; Пользователь: Без имени.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.