Высказывания: Как религия, так и наука в конечном результате ищут истину и приходят к исповеданию Бога. Первая представляет Его как основу, вторая - как конец всякого феноменального представления о мире. Макс ПЛАНК (1858 - 1947), физик.
Основные параметры транзистора 2SC823 биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC823 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
600mW
30V
20V
3V
60mA
200°C
750MHz
-
60MIN
Производитель: NEC Сфера применения: Ultra High Frequency, Medium Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC823
Общий вид транзистора 2SC823.
Цоколевка транзистора 2SC823.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.