Высказывания:
Неспособность совершить некое дело — не повод для беспокойства. Способность совершить некое дело — также не повод для волнения. Так зачем волноваться? Будьте счастливы. Буддийские советы
Основные параметры транзистора 2SD1325R биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SD1325R . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
30W
60V
30V
6V
8A
150°C
120MHz
-
100MIN
Производитель: SANYO Сфера применения: Power, Switching Популярность: 531 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD1325R
Общий вид транзистора 2SD1325R.
Цоколевка транзистора 2SD1325R.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.