Параметры транзистора AF114N. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Кто платит меньше всех, больше всех жалуется.



Основные параметры транзистора AF114N биполярного высокочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора AF114N . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
75mW32V15V2V10mA75°C75MHz 350MIN

Производитель: SIEMENS
Сфера применения: RF, Low Power, General Purpose
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора AF114N

Общий вид транзистора AF114N.Цоколевка транзистора AF114N.
Общий вид транзистора AF114N Цоколевка транзистора AF114N

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора AF114N
Где купить транзистор AF114N?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора AF114N.

Дополнение: Транзистор AF114/117, как правило: выпускались в корпусах ТО-7 и ТО-72. Ножек 4, в один ряд (ТО-7) Отдельно стоящая ножка- коллектор, следом-корпус, затем- база и эмиттер. Цоколевка ТО-72 идентична ГТ-346. Транзисторы очень часто замыкают на корпус, иногда всеми (коллектор/база/эмиттер), иногда одним из них. В цепях гетеродина и УПЧ весьма нестабильны по температуре. Например, в радиоприемниках ROBERTS RADIO..
Дата добавления: 2014-09-28 17:19:10; Пользователь: О.И..


Вы знаете больше о транзисторе AF114N, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора AF114N.
Добавить рисунок транзистора AF114N.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора AF114N.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru