Высказывания: Кризис разрушил интеллектуальные основы мировой экономики, которыми мы руководствовались на протяжении четверти века. Теперь нам нужна глобализация нового рода, более справедливая глобализация, глобализация с человеческим лицом. Стросс Кан, руководитель МВФ (апрель 2011). На встрече со студентами в Университете имени Джорджа Вашингтона.
Основные параметры транзистора AF367 биполярного сверхвысокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного pnp транзистора AF367 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
60mW
20V
15V
-
10mA
90°C
350MHz
0.7
10MIN
Производитель: PHILIPS Сфера применения: UHF, Low Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора AF367
Общий вид транзистора AF367.
Цоколевка транзистора AF367.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.