Высказывания: Любая устаревшая модель робота, управляемая главным персонажем, намного разрушительнее, чем новейшая неуязвимая модель, управляемая его противником. Следствие Гандама: Технический прогресс бесполезен. Вывод Галда: В конце концов всё решается в драке голыми руками. 2-ой закон Робототехники
Основные параметры транзистора BC650E биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BC650E . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
625mW
30V
30V
6V
100mA
150°C
100MHz
3
900MIN
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Darlington, Low Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BC650E
Общий вид транзистора BC650E.
Цоколевка транзистора BC650E.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.