Высказывания: На ЭВМ с параллельной архитектурой может выполняться несколько ошибок одновременно. Язык ошибок
Основные параметры транзистора BC847PN биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора BC847PN . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: n/p
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
250mW
50V
45V
6V
100mA
150°C
250MHz
2
110/630
Производитель: SIEMENS Сфера применения: Dual (pnp(1)+npn(2) Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BC847PN
Общий вид транзистора BC847PN.
Цоколевка транзистора BC847PN.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.