Высказывания: Есть два рода болтунов: одни говорят слишком много, чтобы ничего не сказать, другие тоже говорят слишком много, но потому, что не знают, что сказать. Одни говорят, чтобы скрыть, что они думают, другие — чтобы скрыть, что они ничего не думают. Ключевский Василий Осипович
Основные параметры транзистора BDW53D биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BDW53D . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
40W
120V
120V
5V
4A
150°C
1MHz
-
750MIN
Производитель: TI Сфера применения: Darlington, Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BDW53D
Общий вид транзистора BDW53D.
Цоколевка транзистора BDW53D.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.