Высказывания: Господи, я был по ту сторону бытия и в ничтожестве своем наслаждался вечным покоем; меня исторгли из этого состояния, чтобы вытолкнуть в странный жизненный карнавал. Поль Валери
Основные параметры транзистора BDY27B биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BDY27B . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
87W
400V
200V
10V
6A
200°C
10MHz
-
30/90
Производитель: SIEMENS Сфера применения: High Power, High Voltage, High Frequency Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BDY27B
Общий вид транзистора BDY27B.
Цоколевка транзистора BDY27B.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.