Высказывания:
Гнев сверх меры вызывает страх, а неумеренная ласка уменьшает к тебе уважение в людских глазах. Не будь настолько суров, чтобы всем надоесть, и настолько кроток, чтобы тебе дерзили.
Саади
Основные параметры транзистора BF111 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BF111 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
3W
200V
90V
5V
80mA
175°C
60MHz
3.5
20MIN
Производитель: SIEMENS Сфера применения: Power, TV Deflection Популярность: 776 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BF111
Общий вид транзистора BF111.
Цоколевка транзистора BF111.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.