Высказывания: Никогда не делай долгов; лучше терпи нужду; поверь, она не так ужасна, как кажется, и, во всяком случае, она лучше неизбежности вдруг оказаться бесчестным или прослыть таковым. Пушкин Александр Сергеевич
Основные параметры транзистора BF259A биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BF259A . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
500mW
300V
300V
5V
200mA
175°C
90MHz
7
25MIN
Производитель: TI Сфера применения: VHF, Low Power, High Voltage Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BF259A
Общий вид транзистора BF259A.
Цоколевка транзистора BF259A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.