Высказывания: Каждый служащий начинает со своего уровня некомпетентности. Скрытый постулат Питера согласно Годину
Основные параметры транзистора BF579 биполярного сверхвысокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного pnp транзистора BF579 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
110mW
20V
20V
3V
25mA
150°C
1GHz
0.5
20MIN
Производитель: SIEMENS Сфера применения: UHF, Low Power, Low Noise Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BF579
Общий вид транзистора BF579.
Цоколевка транзистора BF579.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.