Юмор: Три периода в жизни женщины. В первом она действует на нервы своему отцу, во втором - мужу, а в третьем - зятю.
Основные параметры транзистора BFG67 биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора BFG67 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
20V
10V
-
50mA
150°C
7.5GHz
0.5
20MIN
Производитель: PHILIPS Сфера применения: Low Power, Switching Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BFG67
Общий вид транзистора BFG67.
Цоколевка транзистора BFG67.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора BFG67.
Дополнение: Тут указан корпус ТО-251. Это корпус для тр-ра средней мощности и не СВЧ. На самом деле корпус - SOT-143.
Дата добавления: 2010-11-21 17:39:21; Пользователь: М..
Комментарий к рисунку: Нет.
Дата добавления: 2010-11-22 07:32:55; Пользователь: Михай.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.