Высказывания:
Есть два способа подняться над соседом: возвыситься самому или унизить его. Никогда не следуй вторым путем. Вместо того чтобы копать яму другому, употребите эти силы на то, чтобы насыпать холм для самого себя.
Основные параметры транзистора BLW77 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BLW77 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
245W
70V
35V
4V
30A
200°C
150MHz
500
15/80
Производитель: PHILIPS Сфера применения: RF, Power Популярность: 966 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BLW77
Общий вид транзистора BLW77.
Цоколевка транзистора BLW77.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.