Высказывания:
Любые издержки на рекламную кампанию - больше, чем может позволить себе клиент; - меньше, чем ожидали люди из творческого отдела; - примерно такие, которых с ужасом опасались бухгалтеры.
Пятый закон Фостера
Основные параметры транзистора BSS20 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BSS20 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
225mW
160V
160V
6V
50mA
200°C
50MHz
-
30MIN
Производитель: TI Сфера применения: Low Power, High Voltage, General Purpose Популярность: 596 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BSS20
Общий вид транзистора BSS20.
Цоколевка транзистора BSS20.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.