Юмор: Американский президент и Генсек СССР устроили между собой соревнования по бегу. Спортивный американец, естественно, прибежал первым, Генсек вторым. «Независимые и объективные» СМИ дают информацию: В США: «Наш президент занял первое место, Генсек СССР прибежал последним.» В СССР: «Президент США прибыл предпоследним, а наш Генсек занял почётное второе место.»
Основные параметры транзистора BUX81 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BUX81 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
100W
1000V
450V
10V
15A
150°C
3MHz
-
15MIN
Производитель: PHILIPS Сфера применения: RF, Power, High Voltage Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUX81
Общий вид транзистора BUX81.
Цоколевка транзистора BUX81.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.