Высказывания: При печатании книги в нее всегда вкрадывается несколько ошибок, которые никто не заметит. Следствие Блоха: Открыв сигнальный экземпляр на произвольной странице, автор тут же наткнется на самую грубую ошибку. Дополнение Шулаева: Самые грубые ошибки набраны самым крупным кеглем. Закон публикаций Джоунса
Основные параметры транзистора CK100 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора CK100 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
800mW
60V
50V
-
1A
175°C
-
-
50MIN
Производитель: RAYTHEON Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора CK100
Общий вид транзистора CK100.
Цоколевка транзистора CK100.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.