Параметры транзистора EFT321. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты


Новости:

9.5.2019 С Днем Победы!!!...

9.5.2018 С Днем Победы!!!...

9.5.2017 С Днем Победы!!!...







Высказывания:
Ребёнок в раннем возрасте может добиваться от родителей ответов на вопросы о том, как устроен Мир? А на ответ, что 'Мир состоит из материи', начнёт требовать по существу ясного ответа на вопрос: 'чем отличается неизвестная ему 'материя', из которой состоит Мир, от той известной ему материи, из которой сшита одежда?' (если его вопрос перевести на язык 'научной' философии). Его интересуют и вопросы, чем отличается живое от неживого? Что такое смерть, и как живут умершие? Есть ли Бог, а если его нет, то почему говорят, что Он есть? Больно ли дереву, когда его пилят? А хорошо ли есть мясо, ведь животным, птицам и рыбам страшно и больно, когда их убивают? Откуда берутся деньги и почему возникают цены такие, и почему нельзя бесплатно? Кто хозяин? Как устроено государство, и почему в одних есть короли, а в других нет? Что такое 'хорошо', и что такое 'плохо'? Почему и для чего девочки и мальчики — разные? Расскажи, какой ты был (была), когда ты был (была) маленький (маленькой). А как жили, когда меня не было? Откуда взялся первый человек?
'Запредельные' вопросы детей.




Основные параметры транзистора EFT321 биполярного низкочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора EFT321 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
200mW24V20V12V250mA75°C650KHz -17/45

Производитель: IPR
Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Популярность: 938
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора EFT321

Общий вид транзистора EFT321.Цоколевка транзистора EFT321.
Общий вид транзистора EFT321 Цоколевка транзистора EFT321

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора EFT321
Где купить транзистор EFT321?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора EFT321.

Вы знаете больше о транзисторе EFT321, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора EFT321.
Добавить рисунок транзистора EFT321.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора EFT321.


Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

   




По маркировке

2008-2019. Параметры транзисторов. 7528.