Параметры транзистора FXT751SM. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Если y человека ничего не болит, значит, он еще не pодился или yже yмеp.



Основные параметры транзистора FXT751SM биполярного высокочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора FXT751SM . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
1W80V60V-2A140°C100MHz -100MIN

Производитель: ZETEX
Сфера применения: -
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора FXT751SM

Общий вид транзистора FXT751SM.Цоколевка транзистора FXT751SM.
Общий вид транзистора FXT751SM Цоколевка транзистора FXT751SM

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора FXT751SM
Где купить транзистор FXT751SM?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора FXT751SM.

Вы знаете больше о транзисторе FXT751SM, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора FXT751SM.
Добавить рисунок транзистора FXT751SM.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора FXT751SM.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru