Высказывания: Надо, наконец, понять, что из всех ценных капиталов, имеющихся в мире, самым ценным и самым решающим капиталом являются люди, кадры. Надо понять, что при наших нынешних условиях «КАДРЫ РЕШАЮТ ВСЁ...» Из выступления И. В. Сталина 4 мая 1934 г. перед выпускниками военных академий.
Основные параметры транзистора KSC1008 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора KSC1008 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
800mW
80
60V
8V
700mA
150°C
30MHz
8
40/240
Производитель: SAMSUNG Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора KSC1008
Общий вид транзистора KSC1008.
Цоколевка транзистора KSC1008.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.