Высказывания: Чудесное устройство космоса и гармония в нем могут быть объяснены лишь тем, что космос был создан по плану всеведущего и всемогущего существа. Вот мое первое и последнее слово. Исаак НЬЮТОН (1643 - 1727), физик и математик.
Основные параметры транзистора MJ10047 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJ10047 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
250W
300V
250V
8V
100A
150°C
-
2000
90MIN
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Darlington, Power, Switching Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJ10047
Общий вид транзистора MJ10047.
Цоколевка транзистора MJ10047.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.