Высказывания: Чем безобиднее на вид изменение, тем большим будет его влияние в дальнейшем и тем больше чертежей придется изменять.
Основные параметры транзистора MJE13005 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
75W
700V
400V
9V
4A
150°C
4MHz
65
10/60
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Power, Switching, High Voltage Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE13005
Общий вид транзистора MJE13005.
Цоколевка транзистора MJE13005.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13005.
Комментарий к рисунку: Реальный розмер транзистора mje13005
применяется в эконом лампах, выполненых под патрон для ламп накаливания....
Дата добавления: 2011-11-14 17:49:11; Пользователь: ЛилДенс.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.