Высказывания: В три с половиной года я хотел стать кухаркой, заметьте, кухаркой, а не поваром. В семь лет я возжелал стать Наполеоном, и претензии мои с тех пор стали неуклонно возрастать. Сальвадор Дали
Основные параметры транзистора MMBC1321Q5 биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора MMBC1321Q5 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
30V
25V
4V
10mA
150°C
600MHz
1.2
135MIN
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MMBC1321Q5
Общий вид транзистора MMBC1321Q5.
Цоколевка транзистора MMBC1321Q5.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.