Высказывания:
Никогда не рисуйте то, что можно скопировать. Никогда не копируйте то, что можно обвести. Никогда не обводите то, что можно вырезать и наклеить.
Основные параметры транзистора MMBC1653N4 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора MMBC1653N4 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
150V
130V
5V
50mA
150°C
150MHz
4.5
150MIN
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Low Power, General Purpose Популярность: 1153 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MMBC1653N4
Общий вид транзистора MMBC1653N4.
Цоколевка транзистора MMBC1653N4.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.