Юмор: - Ты в курсе, что на новой 'Ладе-Приоре' с 2014 года будут четыре педали? - А четвёртая-то зачем? - Чтобы подушку безопасности подкачивать.
Основные параметры транзистора MMBT2369ALT1 биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора MMBT2369ALT1 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
360mW
40V
15V
4V
200mA
200°C
500MHz
4
40/120
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Ultra High Frequency, Switching Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MMBT2369ALT1
Общий вид транзистора MMBT2369ALT1.
Цоколевка транзистора MMBT2369ALT1.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.