Высказывания: Гнев сверх меры вызывает страх, а неумеренная ласка уменьшает к тебе уважение в людских глазах. Не будь настолько суров, чтобы всем надоесть, и настолько кроток, чтобы тебе дерзили. Саади
Основные параметры транзистора NB011FU биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора NB011FU . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
600mW
40V
35V
5V
30mA
150°C
50MHz
2
200MIN
Производитель: NSC Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NB011FU
Общий вид транзистора NB011FU.
Цоколевка транзистора NB011FU.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.