Юмор: Перед свадьбой: ОН: Ура! Наконец-то! Я уже дождаться не мог! ОНА: Может мне уйти? ОН: Нет, даже не думай об этом! ОНА: Ты меня любишь? ОН: Конечно! ОНА: Ты мне когда-нибудь изменял? ОН: Нет, как тебе такое в голову пришло? ОНА: Будешь меня целовать? ОН: Буду! ОНА: Будешь меня бить? ОН: Ни в коем случае! ОНА: Могу тебе верить? После свадьбы - читать снизу вверх...
Основные параметры транзистора NB021ET биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора NB021ET . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
600mW
40V
35V
5V
30mA
150°C
50MHz
6
100MIN
Производитель: NSC Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NB021ET
Общий вид транзистора NB021ET.
Цоколевка транзистора NB021ET.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.