Высказывания:
У меня давняя дружба со смертью. Не исключено, что когда она придет, я скажу ей: 'Присядьте, отдохните! Может быть, выпьем шампанского?' Я ведь в глубине души трус.
Сальвадор Дали
Основные параметры транзистора PT706 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора PT706 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
360mW
25V
15V
5V
220mA
200°C
200MHz
9
20/60
Производитель: TRW Сфера применения: Medium Power, Switching, High Frequency Популярность: 651 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора PT706
Общий вид транзистора PT706.
Цоколевка транзистора PT706.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.