Юмор:
На акцию протеста врачи вышли на улицы. Власти не могут понять, чего хотят доктора, потому что никто не может разобрать, что именно написано на транспарантах...
Основные параметры транзистора RT696M биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора RT696M . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
350mW
60V
-
-
500mA
200°C
40MHz
35
20/60
Производитель: RAYTHEON Сфера применения: RF, Power, General Purpose Популярность: 573 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RT696M
Общий вид транзистора RT696M.
Цоколевка транзистора RT696M.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.